詳細

型番: RDBLS207G
カテゴリー:
個別半導体
AEC-Q:
Description: 300ns, 2A, 1000V, Fast Recovery Bridge Rectifier
Family: Fast
IF(AV) (A): 2
IFSM (A): 50
IR (µA): 2
MSL: 1
Package: DBLS
Status: Active
TJ Max. (°C): 150
VF (V): 1.15
VRRM (V): 1000
trr (ns): 300
Documents:
データシート
RDBLS207G_A15