タイワン・セミコンダクター社は、使用環境の厳しい車載用途向けに設計された、次世代の車載グレードプレーナーショットキーダイオードを発表します。本製品は、最大ジャンクション温度 (Tj) 175℃に対応しています。本製品ファミリーは、低いリーク電流と1A～10Aまでの順方向電流定格を網羅し、様々なパッケージオプションで提供されます。また、AEC-Q101にも準拠しています。 主な特長 AEC-Q101準拠 最大ジャンクション温度 Tj 175°C 高サージ電流耐量 低損失、高効率 耐湿性レベル：J-STD-020に基づくレベル1に準拠 RoHS準拠 ハロゲンフリー アプリケーション DC/DCコンバータ フライホイールダイオード 逆バッテリー接続保護 車載照明 Product Portfolio Scroll left
Figure 1: DFN1006-2LW パッケージと回路図 TESDA28VU18P1Q1は、電子システム内の電源インターフェース、制御ライン、または低速データラインを保護するために設計された単方向ESD保護ダイオードです。静電気放電 (ESD) や雷による過電圧損傷から、電源および制御ラインに接続されたデリケートな電子部品を保護するよう特別に設計されています。 本製品は、超小型DFN1006-2LW表面実装パッケージ (SMD) に収められたESD保護デバイスで、静電気放電 (ESD) やその他の過渡現象による損傷から、自動車の車載ネットワークの単一バスラインを保護するように設計されています。 図2： TESDA28VU18P1Q1の代表的なアプリケーション 主な特長 AEC-Q101準拠 ウェッタブルフランク ESD保護性能： IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (気中)、±15kV (接触) IEC 61000-4-5 (雷) 1.7A (8/20us) アプリケーション
タイワン・セミコンダクター社は、高周波スイッチングに最適化された次世代PerFET™ 80Vおよび100VパワーMOSFETを発表します。これらのデバイスは、通信およびサーバー電源における同期整流、ならびに太陽光インバータ、電動工具、DC-DCブリックコンバータ、電源アダプタなどの産業用アプリケーションに最適です。 小型PDFN56Uパッケージに収められたPerFET™ 80Vおよび100V MOSFETは、基板と端子のはんだ接合部の信頼性を向上させ、自動光学検査 (AOI) の精度を高めるウェッタブルフランク端子構造を特長としています。製品ポートフォリオには18種類の製品展開があり、標準ゲートドライブ (10V) とロジックレベルゲートドライブ (5V) の両方のオプションを提供することで、設計者はアプリケーションに最適なソリューションを柔軟に選択できます。 図1：PDFN56U および PDFN56U Dual パッケージ Key Features 信頼性 (AEC-Q101要件に適合) クラス最高のFOM (RDS(on) ) * Qg) 低い導通損失のための最適化されたRDS(on) スイッチング損失低減のための低ゲート電荷 175°Cのジャンクション温度 (TJ) ウェッタブルフランクによるAOI精度の向上
新製品の1200V ワイドバンドギャップ シリコンカーバイド (SiC) ショットキーダイオードは、MPS (Merged PIN Schottky) 構造を特長とし、高い順方向サージ電流耐量、低い順方向電圧降下、低リーク電流、および低静電容量により優れた性能を有しています。これらの特性は、高周波および高電圧アプリケーションにおける効率と堅牢性の向上に貢献します。 1Aおよび2Aの電流定格で小型SMBおよび薄型SOD-128パッケージで提供される、これらのダイオードは、改善された沿面距離（例：SOD-128で3.2mm、SMBで2.6mm）を確保し、より優れた電気的絶縁特性を実現しています。さらに高い電流が要求される用途には、最大40A定格のバージョンがTO-247-3Lパッケージで提供され、幅広い電力設計が必要な場面においての最適化を可能にします。 全デバイスはAEC-Q101認定済みで、最大ジャンクション温度175℃に対応し、EV急速充電、蓄電装置、産業用及び通信電源などの要求の厳しい環境で高い信頼性と熱安定性を確保します。さらに、順方向電圧は正の温度係数により熱管理が簡素化され、高信頼性が要求されるアプリケーションにおいて安定した性能を実現します。 パッケージと回路図 Key Features AEC-Q101準拠 SOD-128パッケージ：設計保証された最小沿面距離 3.2mm SMBパッケージ：設計保証された最小沿面距離 2.6mm 最大接合部温度 175°C MPS (Merged PIN Schottky) 設計 VF正の温度係数 RoHS準拠 ハロゲンフリー Applications
タイワン・セミコンダクター社は、ウェアラブル機器やその他小型電子機器向けに超小型ESD保護デバイスを発表します。新製品TESDAxシリーズは、独自のクランピング技術を特長とし、信号ラインや電源ラインに対するESDおよび雷からの過電圧を抑制し保護対象製品を保護します。 今回の新製品は、ポータブル医療機器、スマートフォン、PDAなどの小型電子機器において、高感度な過電圧保護に最適な製品です。AEC-Q101認定を取得しているTESDAxシリーズは、IEC 61000-4-2 (ESD ±30kV 気中放電/接触放電)、IEC 61000-4-4 (EFT 40A)、IEC 61000-4-5 (雷サージ 5A) に対する堅牢な保護を提供します。パッケージは超小型パッケージを採用しており、基板の省スペース化に寄与します。 図1：パッケージと回路図 図2：TESDAxシリーズの代表的なアプリケーション 主な特長 AEC-Q101準拠 ESD保護性能： IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (気中放電)、±30kV (接触放電) IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC
Taiwan Semiconductorは、新しい150Vおよび200VトレンチショットキーダイオードをTO-277A (SMPC4.6U) パッケージで発表します。これらのダイオードは、 0.78Vからの低い順方向電圧と3Aから15Aまでの順方向電流を特長とし、AEC-Q101認証を取得しています。 これらダイオードは、SMPS（スイッチング電源）の二次側整流、昇圧PFC回路、車載および通信システムにおけるフリーホイーリングダイオード、極性保護などのアプリケーションに最適です。低い順方向電圧と高い電流容量により、優れた性能を保証し、要求の厳しいお客様のアプリケーション向けに、小型で信頼性が高く、エネルギー効率の高い設計を可能にします。 主な特長： AEC-Q101準拠 最大接合部温度: 150°C 高電流定格: 3A～15A 低順方向電圧 吸湿耐性レベル: J-STD-020 レベル1 RoHS準拠 ハロゲンフリー アプリケーション： スイッチング電源 (SMPS) の12V～48V範囲の二次側出力整流 昇圧PFC回路 車載、通信、DC-DCコンバータにおけるフリーホイーリングダイオード 極性保護ダイオード 製品ポートフォリオ Scroll left
Taiwan Semiconductorは、AEC-Q101に準拠した小信号デバイスとしてショットキーバリアダイオード、スイッチングダイオード、ツェナーダイオード、トランジスタの提供を開始します。小信号ダイオードは、その高速スイッチング特性と小型パッケージの特長から車載電子機器で広く使用されています。また、逆極性保護やより効率的な信号スイッチングを可能にし、ADASやインフォテインメントのような高感度システムにおける電圧クランプに役立ちます。また、低VF特性を有していることから高性能な車載アプリケーションに最適です。 主な特長 AEC-Q101準拠 IATF 16949認定施設で製造 吸湿耐性レベル: J-STD-020 レベル1 RoHS準拠 ハロゲンフリー アプリケーション スイッチング回路 逆極性保護 電圧レギュレータ回路 デジタル関連機器 ADAS 車載インフォテインメント ショットキーバリアダイオードの製品ポートフォリオ Scroll left * Typical value スイッチングダイオードの製品ポートフォリオ Scroll left ツェナーダイオードの製品ポートフォリオ Scroll left トランジスタの製品ポートフォリオ
Taiwan Semiconductor, (TSC), a global supplier of discrete power electronics devices, LED drivers, analog ICs and ESD protection devices, announces additional 1200V & 1600V High Efficiency rectifiers in industry standard
The TESDA24VB28P2CX is Bidirectional ESD-rated clamping cell to protect power interfaces, control line, or low speed data line in an electronic system. The capacitance CJ must be less than 100
Figure 1: Package and circuit diagram The TESDA24VB17P1Q1/TESDA24VB17P1M3 is designed to protect one line against system ESD Lightning pulses by clamping it to an acceptable reference. It provides bidirectional protection.
Taiwan Semiconductor (TSC), a global supplier of discrete power electronics devices, LED drivers, analog ICs and ESD protection devices, announces 600V low loss rectification for power electronics systems. The current
Key Features AEC-Q101 qualified Manufactured in IATF 16949 certified facilities Advanced trench cell design ESD protected (HBM >2kV) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free Applications General
Taiwan Semiconductor introduces PerFET™ 80V and 100V technology in the PDFN56U (5mm x 6mm) single and dual packages for high power, high switching frequency and high-performance requirement automotive applications. A
TSC TLDxAH series Uni-directional Load dump TVS packaged in TO-263AB that could meet ISO7637-2 and ISO 16750-2 criteria. It is compatible with High-end circuits where low leakage current and high
SUPER CLAMP series TVS diodes with snapback characteristics features a superior optimized clamping ratio between the designated breakdown voltage and clamping voltage. And a wide operation range of -55°C to 175°C
Taiwan Semiconductor (TSC), a global supplier of discrete power electronics devices, LED drivers, analog ICs and ESD protection devices, announces an additional 600V Ultra fast – high efficiency rectifier for
Taiwan Semiconductor (TSC), a global supplier of discrete power electronics devices, LED drivers, analog ICs and ESD protection devices, announces an additional 600V Ultra fast diode for various power systems.
Taiwan Semiconductor introduces the 4th generation 600V NE series super junction MOSFETs which are designed to improve efficiency and power density in high voltage applications. The latest technology of the
TESDL24VB17P1Q1 is a unique design with proprietary clamping cells in a small package. The DFN1006 package size is 1.0 mm x 0.6 mm and the thickness is only 0.5 mm,
This family of 650V silicon carbide Schottky barrier diode is suitable for high-efficiency AC-DC, DC-DC and DC-AC conversion applications. Unlike silicon-based fast-recovery rectifiers, these SiC devices have negligible switching losses
